美国空军研究出新型光限幅器

来源:国防科技信息网作者:张慧编辑:高立英发布时间:2015-11-02 10:12

[据化合物半导体网站2015年10月28日报道] 来自美国空军研究实验室(位于俄亥俄州的赖特-帕特森空军基地),威尔实验室(位于俄亥俄州代顿市),SelectTech服务公司(位于俄亥俄州森特维尔市)和卫斯理大学(位于康涅狄格州米德尔敦市)的研究人员共同创建了第一个光限幅器,它主要通过光反射而不是光吸收来实现限光功能。

光限幅器允许低强度的光通过,但当光强度超过一定水平时,则会关闭系统阻止光通过,这对某些激光系统十分有用,不仅可以防止高强度光进一步损坏激光/光学系统中的组件,还能实现一些其他预期的实验效果。

然而,通过吸收来实现限光会对光限幅器本身产生损害。因此,空军研究实验室研制的反射型光限幅器是一个显著的进步,此外,反射高强度光预计还可以用于其它实验目的。

这款光限幅器包含非晶二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)交互层,中间是一层砷化镓(GaAs)层(下称“缺陷”层)。在低光强时,缺陷模所引起的谐振使该器件具有高的光透射率,而当光强超过某个水平,缺陷层中的双光子吸收会破坏共振模式,使整个器件具有较高反射率。

研究人员表示,由于砷化镓的光学性能限制,实验用的光限幅器件工作波长以1600纳米为中心,而选用其他材料可以使器件工作在其他波长范围内。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 张慧)



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